중국 최대 D램 제조사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 올 연말까지 '4F스퀘어 D램' 기반의 서버용 DDR5 모듈을 출시하겠다고 밝혔어요. 삼성전자와 SK하이닉스도 아직 상용화하지 못한 차세대 기술을 먼저 내놓겠다는 선언이라, 국내 반도체 업계가 예의주시하고 있죠.
4F스퀘어 D램은 데이터를 저장하는 셀 내부 트랜지스터를 기존 수평 배치에서 수직으로 세우는 구조예요. '스퀘어'는 셀 면적을 나타내는 척도인데, 4F 구조는 기존 6F 대비 셀 집적도를 50% 이상 높일 수 있어요. 같은 공간에 더 많은 데이터를 담을 수 있다는 뜻이에요. CXMT는 이 구조를 자체적으로 '수직 서라운딩 게이트(VSG)'라고 부르고 있어요.
지디넷코리아 보도에 따르면, 반도체 분석기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 이 전략이 CXMT 입장에서 꽤 영리한 선택이라고 봤어요. CXMT는 미국 제재로 극자외선(EUV) 노광장비를 도입할 수 없는 상황이에요. 그런데 4F스퀘어 구조는 기존 심자외선(DUV) 방식으로도 구현이 가능해서, EUV 없이도 14~11나노급 D램 세대까지 경쟁력을 유지할 수 있다는 거예요. 삼성·SK가 EUV를 써서 9나노 이하에서 4F스퀘어를 구현하려는 것과는 접근 방식이 달라요.
다만 기술적 난제도 만만치 않아요. 수직 채널 트랜지스터를 깎아낼 때 손상을 최소화하는 공정이 필요하고, 트랜지스터 내부에 전하가 쌓여 동작 특성이 달라지는 '플로팅 바디 이펙트'를 어떻게 억제하느냐도 풀어야 할 숙제예요. 최 수석부사장은 "유의미한 수율을 확보하는 수준의 양산은 별개 문제"라고 짚었어요. 연내 출시 선언과 실제 대량 생산 사이엔 아직 거리가 있을 수 있다는 얘기죠.
국내 반도체 업계에선 회의적인 시각도 있어요. 중국산 D램이 실제로 상용화되더라도 시장 수요가 따라줄지 불확실하다는 거예요. 현재 CXMT는 범용 D램 시장에서 세계 점유율 8%대까지 올라섰지만, 고부가 서버용 제품은 또 다른 차원의 신뢰성과 검증이 필요하거든요. 한겨레 사설은 "중국의 연구개발 역량이 한국을 빠르게 뒤쫓고 있다는 신호"라며 호황에 안주하지 말 것을 경고했어요. CXMT의 이번 발표가 실제 제품으로 이어지는지, 그 결과를 지켜볼 필요가 있어요.
